空穴掺杂半导体量子阱中的嵌套费米面与关联电子相
介观与纳米尺度物理
2022-03-23 v2 强关联电子
摘要
我们展示了空穴掺杂半导体量子阱中存在新颖的相互作用效应，这些效应与掺杂变化时费米面几何结构的剧烈变化相关。我们给出了能带结构计算，表明在p型立方半导体中形成的量子阱，在由量子阱宽度d决定的临界空穴密度k_F ~ π/d处会发展出嵌套费米面。嵌套导致了竞争的超导序与电荷或自旋密度波序，我们使用微扰重正化群方法对此进行了分析。通过将空穴密度调向或调离临界密度，可以产生或消除这些关联相。我们的结果确立了p型半导体量子阱作为新型关联相的平台，这些关联相可通过静电门控和外加磁场进行精确控制。
引用
@article{arxiv.2110.14079,
title = {Nested Fermi surfaces and correlated electronic phases in hole-doped semiconductor quantum wells},
author = {Tommy Li and Julian Ingham and Harley D. Scammell},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.14079},
year = {2022}
}