空穴掺杂 BaFe$_2$As$_2$ 中的电子 - 空穴不对称性与量子临界点
超导电性
2009-01-12 v1 强关联电子
摘要
我们通过第一性原理计算表明，基于 FeAs 化合物的空穴掺杂侧与其电子掺杂对应物不同。电子侧的特征是费米面嵌套，通过掺杂实现了自旋密度波（SDW）到非磁性（NM）的量子临界点（QCP）。另一方面，在空穴掺杂侧，轨道选择性部分轨道有序与棋盘格反铁磁（AF）有序共同发展，且不伴随晶格畸变。由此实现了独特的 SDW 到 AF 的 QCP，并满足 = 判据（在近似 & 模型中）。观测到的超导电性位于两侧的 QCP 附近。
引用
@article{arxiv.0807.1401,
title = {Electron-hole Asymmetry and Quantum Critical Point in Hole-doped BaFe$_2$As$_2$},
author = {Gang Xu and Haijun Zhang and Xi Dai and Zhong Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.1401},
year = {2009}
}
备注
4 pages