硅与金属膜界面中的近无质量电子
材料科学
2011-08-22 v1
摘要
我们证明了在最广泛使用的器件材料——硅中，在与金属膜的界面处实现了近无质量电子。利用角分辨光电子能谱，我们发现单层铅膜的表面能带驱动了在该膜界面处形成的硅反型层的空穴带，使其具有近线性色散，有效质量比体硅轻约20倍，且可与石墨烯相媲美。质量的减小可以由金属膜与硅衬底的相邻能带之间的排斥相互作用来解释。我们的结果提出了一种在硅基薄膜器件中利用无质量载流子的有前景的途径，该途径也可应用于各种其他半导体器件。
引用
@article{arxiv.1005.4369,
title = {Nearly Massless Electrons in the Silicon Interface with a Metal Film},
author = {Keun Su Kim and Sung Chul Jung and Myung Ho Kang and Han Woong Yeom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4369},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted for publication in Physical Review Letters