MP$_2$X$_6$结构中多种自旋纹理及稳健谷子物理

自旋纹理和动量空间中的多个谷子因其在自旋电子学和谷子电子学中的多样化应用而引起广泛关注。单一材料中实现多种自旋纹理并进一步将其与谷子自由度耦合具有高度的必要性。本文通过第一性原理计算研究了单层SnP$_{2}$Se$_{6}$的电子性质。该单层在不同谷子处表现出罕见的Weyl型和Ising型自旋纹理，分别可通过电子和空穴掺杂进行表示。除了谷子对比自旋纹理之外，还发现由Berry曲率驱动的异常霍尔电流和光学选择性在谷子层面上具有差异。这些谷子相关性质也适用于SnP$_{2}$Se$_{6}$薄片以及其他MP$_{2}$X$_{6}$结构。我们的发现为探索自旋纹理与多个谷子之间的引人入目的相互作用，以及基于自旋和谷子自由度设计先进器件范式开辟了新途径。