硅中施主核自旋的多量子跃迁与电荷诱导退相干
量子物理
2017-06-21 v1 材料科学
摘要
我们研究了硅中电离砷施主核自旋的单量子与多量子跃迁，并发现了对相干时间的四极效应，我们将其与施加光和偏压脉冲后存在的涨落电场梯度联系起来。为了确定 4 维 Hilbert 空间中所有阶叠加态的相干时间，我们使用了相位循环技术，并发现在电效应允许衰减后，这些时间的标度符合场型退相干机制（如与周围 Si 核自旋的相互作用）的预期。
引用
@article{arxiv.1610.04138,
title = {Multiple-quantum transitions and charge-induced decoherence of donor nuclear spins in silicon},
author = {David P. Franke and Moritz P. D. Pflüger and Kohei M. Itoh and Martin S. Brandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.04138},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures