$\alpha$-石墨炔上$^4$He 层中的 Mott 绝缘体至公度固体相变：粒子诱导赝磁场下的赝自旋对称性破缺
材料科学
2013-08-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们进行了路径积分蒙特卡洛计算，以研究He 原子在-石墨炔上的吸附。我们发现每个石墨炔六边形的面内中心可以嵌入一个He 原子。在嵌入He 的石墨炔表面上方的第一层He 中，在面密度为 0.0706 \AA时观察到 Mott 绝缘态，此时每个六边形单元占据三个He 原子；而在密度为 0.0941 \AA时，氦原子形成公度三角固体。在此我们表明，针对六边形单元中三个He 原子的两种简并构型所引入的 Ising 赝自旋对称性，可被放置在六边形顶点的额外He 原子所破缺，且从 Mott 绝缘体到公度固体的相变，是从受挫反铁磁体的非磁自旋液体到粒子诱导赝磁场下自旋排列铁磁体的相变。
引用
@article{arxiv.1308.2556,
title = {Mott-insulator to commensurate-solid transition in a 4He layer on \alpha-graphyne: Pseudo-spin symmetry breaking under a particle-induced pseudo-magnetic field},
author = {Yongkyung Kwon and Hyeondeok Shin and Hoonkyung Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2556},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures, submitted to Physical Review Letters