采用四阱技术实现近 100% 填充因子和全 CMOS 像素的单片有源像素传感器 (MAPS)
仪器与探测器
2009-09-29 v1
摘要
在本文中，我们提出了一种在 0.18 微米 CMOS 技术中开发的新型四阱工艺，称为 INMAPS。在标准工艺之上，我们添加了一个深 P 注入层，可用于形成深 P 阱，并对 P 掺杂外延层中的 N 阱提供屏蔽。这可以防止不相关的 N 阱（通常是集成 PMOS 晶体管的阱）收集辐射诱导的电荷。我们展示了一个专门为粒子物理实验量身定制的传感器设计，其中每个 50 微米像素拥有超过 150 个 PMOS 和 NMOS 晶体管。该传感器已采用 INMAPS 工艺制造，并首次提供了该工艺对电荷收集有效性的实验证据，显示出效率的显著提高。
引用
@article{arxiv.0807.2920,
title = {Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) in a quadruple well technology for nearly 100% fill factor and full CMOS pixels},
author = {J. A. Ballin and J. P. Crooks and P. D. Dauncey and A. -M. Magnan and Y. Mikami and O. D. Miller and M. Noy and V. Rajovic and M. M. Stanitzki and K. D. Stefanov and R. Turchetta and M. Tyndel and E. G. Villani and N. K. Watson and J. A. Wilson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.2920},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 10 figures, submitted to "Sensors"