180 nm CMOS 工艺大规模耗尽型单片有源像素传感器 (DMAPS) 的串扰
仪器与探测器
2024-02-20 v1
摘要
单片像素探测器将读出电子学与传感器集成于单一硅实体中，相较于传统混合像素探测器方案，简化了生产流程并降低了材料预算。得益于商用 CMOS 工艺在大偏置电压能力方面的进步以及高电阻率衬底日益普及，耗尽型单片有源像素传感器 (DMAPS) 能够应对现代高能物理实验所面临的高速率和高辐射环境。TJ-Monopix2 是基于 180 nm TowerSemicondutor 工艺设计的 DMAPS 开发系列的最新迭代版本，其芯片规模大 (2 x 2) cm，划分为 (512 x 512) 个像素，像素间距为 (33 x 33) um。所有像素内电子学与小型收集电极分离，并实施了工艺改进以提高电荷收集效率，特别是在辐照后。本文介绍了在典型工作条件下观察到的 TJ-Monopix2 阈值变化的最新实验室测量结果和调查。
引用
@article{arxiv.2402.12153,
title = {Cross talk of a large-scale depleted monolithic active pixel sensor (DMAPS) in 180 nm CMOS technology},
author = {Lars Schall and Christian Bespin and Ivan Caicedo and Jochen Dingfelder and Tomasz Hemperek and Toko Hirono and Fabian Hügging and Hans Krüger and Konstantinos Moustakas and Heinz Pernegger and Petra Riedler and Walter Snoeys and Norbert Wermes and Sinuo Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.12153},
year = {2024}
}
备注
Conference proceedings for 13th International "Hiroshima" Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors (HSTD13), submitted to NIM-A