LHCb Tracker Turicensis中辐射损伤的监测
仪器与探测器
2020-08-27 v2 高能物理 - 实验
摘要
本文介绍了在LHC第1和第2运行期监测LHCb Tracker Turicensis中辐射损伤所用的方法。硅传感器中的体漏电流被连续监测，而传感器的全耗尽电压则通过定期进行电荷收集效率随外加偏压变化的专用扫描，在规则时间间隔下估算。预期的漏电流与全耗尽电压预测值由模拟辐射分布、LHC提供的总亮度以及硅传感器的热历史提取得到。测量值与预测值之间发现了良好的一致。
引用
@article{arxiv.1809.05063,
title = {Monitoring radiation damage in the LHCb Tracker Turicensis},
author = {C. Abellan Beteta and M. Atzeni and V. Battista and A. Bursche and B. Dey and A. Dosil Suarez and C. Elsasser and A. Fernandez Prieto and J. Fu and E. Graverini and I. Komarov and E. Lemos Cid and F. Lionetto and A. Mauri and A. Merli and P. R. Pais and E. Perez Trigo and M. del Pilar Peco Regales and P. Stefko and O. Steinkamp and B. Storaci and M. Tobin and A. Weiden},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.05063},
year = {2020}
}
备注
17 pages, 11 figures, 3 tables