二十烷 (C24H50) 单层与双层在石墨上的熔化分子动力学模拟
软凝聚态物质
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
本文报告了对二十烷 (C24H50) 单层和双层吸附于石墨基面的固相行为及熔化行为的研究。该研究是在常数 (N,V,T) ensemble 中的分子动力学模拟中进行的，以进行对准二维单层熔化过程的深入分析，并比较单层和双层在接近或处于熔化转变温度时的分子行为。通过分别研究底层和顶层的量量，旨在分离通常与单层熔化相关的不同结构和分子特性的演化。模拟结果表明，双层的熔化温度显著高于单层——而单层的熔化温度已经高于粗体二十烷的熔化温度。此外，观察到逐层熔化效应，其中双层顶层的熔化相关因素——分子 gauche 缺陷的形成和分子链的垂直滚动——在显著低于底层温度时发生。进行了变异实验以更好地理解晶体单层熔化中不同相互作用的作用，模拟结果与最近的 STM 和衍射实验结果良好一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602478,
title = {Molecular simulation of melting in tetracosane (C24H50) monolayers and bilayers on graphite},
author = {Cary Pint},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602478},
year = {2007}
}
备注
Double spaced text, 9 figures, 1 table. Figures significantly reduced in size. Submitted to Physical Review B