TbFeCo单层纳米线中畴壁动力学的调控

我们展示了在TbFeCo单层纳米线（宽300 nm，长150 $\mu$m）中写入和调控磁畴壁的可能性。为了实现这一点，通过振幅为35 mA、长度为5-40 ns的1.6 MHz脉冲电流穿过纳米线产生的奥斯特场，成核出一个微小的磁畴。为了将畴壁写入纳米线，根据自旋转移力矩机制，使用直流电流将成核的磁畴（两侧有两个畴壁）驱动到纳米线中。控制纳米线中畴壁运动需要 $J_c = 3.5\times10^{10} Am^{-2}$ 的临界电流密度。研究发现，在纳米线中运动的畴的大小可以通过外加磁场或成核脉冲电流的长度来调节。这对于畴壁自旋力矩器件，特别是存储元件中的写入过程可能是一个重要的提示。