绒毛表面有效二次电子产额降低的建模

材料表面的复杂结构可以显著减少该表面的总二次电子发射。绒毛是一种由垂直排列的晶须阵列组成的表面。这种减少是由于捕获了在结构底部和绒毛晶须侧面发射的低能真二次电子。我们进行了数值模拟，并开发了一个近似解析模型，该模型计算了绒毛表面的净二次电子产额，作为绒毛晶须长度、堆积密度以及入射初级电子角度的函数。我们发现，为了抑制二次电子，必须满足以下关于无量纲参数的条件：{\pi}/2 DA tan {\theta} >> 1，其中 {\theta} 是初级电子偏离法线的入射角，D 是绒毛晶须基底所占表面积的比例，A 是纵横比，A {\equiv} h/r，即绒毛晶须高度与半径之比。我们发现，现有的绒毛可以将二次电子产额比平坦表面降低 90%。确定了作为绒毛纵横比和电子入射角函数的、能最大程度抑制二次电子发射产额的最佳绒毛晶须堆积密度值。