基于杂化态调制的氧化石墨烯存储器建模
应用物理
2021-11-09 v1
摘要
基于氧化石墨烯(GO)的阻变随机存取存储器(RRAM)因其结构简单与制造成本低，是柔性电子中最具前景的新兴非易失性存储器之一。已报道的开关机制可分为局域效应或体效应。局域效应常见于具有活性电极（如Cu和Al）的GO-RRAM中，其开关机制包括金属导电细丝演化或GO层与电极间界面电阻的修饰。另一方面，体效应涉及整个GO层的杂化态改变，通常见于具有惰性电极（如Pt和Au）的器件中。已有众多基于局域开关机制的RRAM紧凑模型被提出。然而，基于体效应的GO-RRAM紧凑模型仍属欠缺。因此，本文提出一种依赖杂化态调制的GO-RRAM紧凑模型。所提模型将电阻开关机制与开关层中sp2团簇密度受电驱动修饰相关联。为参数校准，开发了集成所提紧凑模型的SPICE模型。模拟的I-V特性与实验数据表现出强相关性。据此，我们认为所提紧凑模型是对依赖体开关机制的GO-RRAM运行的可接受且贴近的描述。
引用
@article{arxiv.2111.04440,
title = {Modeling of Graphene Oxide Memory based on Hybridization State Modulation},
author = {Ee Wah Lim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.04440},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 2 columns, 7 figures