面向低温CMOS的强温度依赖性热导率电路建模
材料科学
2010-08-23 v1
摘要
在设计和研究低温下运行的电路时，由于晶体管和噪声行为对温度的依赖性，了解电路内部的局部加热至关重要。我们研究了 CMOS 环形振荡器和电流比较器在 T=4.2K 下的局部加热效应。在两种情况下，使用集成温度计测量了电路附近的温度。开发了一个集总元件等效电路 SPICE 模型，该模型考虑了强温度依赖性的热导率和特殊的 4.2K 散热考虑因素。使用 SPICE 软件包数值求解了功率对温度的依赖性，结果与局部加热（范围从 <1K 到超过 100K）的测量值相差在 20% 以内。
引用
@article{arxiv.1008.3409,
title = {Modeling of Circuits with Strongly Temperature Dependent Thermal Conductivities for Cryogenic CMOS},
author = {J. Hamlet and K. Eng and T. Gurrieri and J. Levy and M. Carroll},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3409},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 5 figures