利用聚焦离子束技术的InAs量子点微盘激光器模式选择
光学
2015-10-28 v1
摘要
研究了通过聚焦离子束在其表面刻蚀沟槽的光泵浦InAs量子点微盘激光器。结果表明，径向沟槽根据其长度可抑制微盘特定径向模式的激射。同时也展示了除基径向模式外所有径向模式的完全抑制。对直径为8 m的微盘在离子束刻蚀前后于78 K测量的激光光谱进行比较，显示模式间距增加了五倍（从2.5 nm至15.5 nm），而主导模式的品质因子未显著下降。数值模拟与实验结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1507.08159,
title = {Mode selection in InAs quantum dot microdisk lasers using focused ion beam technique},
author = {A. A. Bogdanov and I. S. Mukhin and N. V. Kryzhanovskaya and M. V. Maximov and Z. F. Sadrieva and M. M. Kulagina and Yu. M. Zadiranov and A. A. Lipovskii and E. I. Moiseev and Yu. V. Kudashova and A. E. Zhukov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.08159},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures, 1 table