Mn2C单层膜：氢化/氧化诱导的强室温铁磁性及其潜在应用
材料科学
2019-05-10 v1
摘要
具有强铁磁性和高居里温度的二维铁磁材料对于纳米级器件的应用极为重要。本文基于第一性原理计算，报道氢化/氧化Mn2C单层膜是一种具有强室温铁磁性的此类材料。原始Mn2C单层膜为反铁磁性金属，Mn的局域磁矩约为3μB。然而，在氢化/氧化下，Mn原子的反铁磁耦合可转变为铁磁有序。特别地，氢化/氧化Mn2C单层膜中的磁矩可达每晶胞6μB，且居里温度高于290K。除在自旋电子器件中的潜在应用外，我们的工作表明Mn2C单层膜也有望用于氢/氧检测与去除器件。
引用
@article{arxiv.1905.03435,
title = {Mn2C monolayer: hydrogenation/oxygenation induced strong room-temperature ferromagnetism and potential applications},
author = {Xiaoming Zhang and Tingli He and Weizhen Meng and Lei Jin and Ying Li and Xuefang Dai and Guodong Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03435},
year = {2019}
}