氢和氧吸附显著增强单层 CrI3 居里温度：第一性原理计算
材料科学
2020-07-28 v1
摘要
二维（2D）材料因其独特的性质及其在后硅微电子学中的广阔应用前景，在过去十年中引起了极大关注。最近，在单层 CrI3 中观测并报道了具有面外易磁化轴方向的铁磁序，其居里温度为 45 K。本文利用密度泛函理论（DFT）计算，研究了氢和氧吸附如何影响单层 CrI3 的结构、电子和磁性质。我们的结果表明，虽然氢吸附后结构几乎保持不变，但氧吸附则使其完全扭曲。我们还发现，氢和氧原子的吸附均显著影响单层的电子和磁性质。氢淬灭了 Cr 原子的磁矩，而氧在带隙中引入了杂质带。有趣的是，我们发现完全氢化显著增强了居里温度，而氧吸附的结果尚不明确。这一结果为调控二维磁体的电子和磁性质以用于自旋电子学应用提供了一种简单有效的方法。
引用
@article{arxiv.2007.12739,
title = {Remarkably enhanced Curie temperature in monolayer CrI3 by hydrogen and oxygen adsorption: A first-principles calculations},
author = {Maedeh Rassekh and Junjie He and Saber Farjami Shayesteh and Juan Jose Palacios},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.12739},
year = {2020}
}