绝缘体磁化率的微观理论

我们提出了一个可推广至处理空间变化与有限频率场的绝缘体磁化率的一般理论。尽管文献中已有关于零频响应的结果且彼此看似不一致，我们表明它们之间表观的差异在各种求和定则的使用下消失，且我们的结果与它们一致。虽然我们的策略基于 Wannier 函数的使用，但我们表明结果可写成涉及 Bloch 函数的“规范不变”形式。我们可将其写为包含 Berry 联络对角元的各项之和，这种分解在考虑孤立分子的极限时尤为有用。但这些贡献可重新包装为不依赖于那些对角元的形式，因而通常更适于数值计算。我们考虑一个 h-BN 模型来展示在此形式体系中建立模型与进行计算的实际考量。