SiC上Sn 夹层缓冲层横向动力学的介观尺度研究
介观与纳米尺度物理
2025-09-17 v1 材料科学
摘要
利用冻结型扩散前沿的氟化锗显微镜（Kelvin Probe Force Microscopy, KPFM）技术，探讨了SiC上Sn 夹层缓冲层的动力学。该技术可横向区分夹层区域与原始缓冲层。通过比较表面形貌与表面电势在介观尺度上的关系，确认表面阶梯作为传输屏障。结果显示，从台阶向台阶的材料流动存在明显的孔洞机制。台阶处发生锡夹层相的核化和形成，导致在介观尺度上的生长方向偏离宏观扩散方向。
引用
@article{arxiv.2503.01689,
title = {Mesoscopic scale study of lateral dynamics of Sn-intercalation of the buffer layer on SiC},
author = {Benno Harling and Zamin Mamiyev and Christoph Tegenkamp and Martin Wenderoth},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.01689},
year = {2025}
}
备注
13 pages main text with 5 figures and 5 pages supplemental information with 4 figures. Keywords: Epitaxial Graphene, Intercalation, AFM/KPFM, SiC, Sn Tin, Diffusion