基于神经元突触强度的记忆持续活动自发丧失的机制描述
神经元与认知
2024-02-05 v2
摘要
与工作记忆（WM）相关的持续神经活动仅持续有限时长。当前理论认为是经由抑制性电流主动终止，目前尚无关于被动记忆丧失机制终止记忆持续活动的理论。在此，我们基于突触强度建立分析框架，并通过仿真及与湿实验室实验拟合表明，被动记忆丧失可能是离子电流长期平台的结果，即记忆极缓衰减后突发丧失。我们在记忆状态恰低于临界点时解析描述了该平台。这些结果（含平台）得到大鼠实验支持。此外，我们表明即便恰高于临界点，遗忘亦可因具离子电流涨落的神经元噪声而发生，产生平台，代表极缓衰减的记忆，并最终快速记忆衰减。我们的结果或通过调控神经元噪声，对开发针对记忆损伤的新药物具有启示意义。
引用
@article{arxiv.2212.07225,
title = {Mechanistic description of spontaneous loss of memory persistent activity based on neuronal synaptic strength},
author = {Hillel Sanhedrai and Shlomo Havlin and Hila Dvir},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.07225},
year = {2024}
}