受阻系统中屏蔽效应导致的慢弛豫机制

我们研究了一种受阻自旋系统中的慢弛豫过程，其中由受阻环境引起的一种屏蔽效应起着重要作用。这种屏蔽效应归因于受阻环境的高度简并构型。这种慢弛豫是由于熵效应引起的，不同于在随机铁磁体等系统中观察到的由能垒引起的弛豫。在当前系统中，即使没有能隙，慢弛豫仍然发生。因此，我们将这种现象称为“熵致减速”。在此，我们在具有所谓装饰键的 Ising 自旋模型中定量研究了熵致减速的机制。包含在装饰键中的自旋（装饰自旋）导致了奇特的态密度，从而引起了熵诱导的屏蔽效应。我们解析地估计了系统的时间尺度，该尺度随装饰自旋数量的增加呈指数增长。我们利用该时间尺度展示了包括临界点在内的所有温度下弛豫过程的标度律。