单层铜氧化物中库仑相互作用的依赖于材料的屏蔽
超导电性
2018-10-17 v1
摘要
为探究铜氧化物超导体的材料依赖性，我们评估了 Hg1201 和 Tl1201 的有效库仑相互作用，其中即使在最佳氧浓度下 Tl1201 的 T_c 也仅为 Hg1201 的近一半。尽管这些超导体结构相似，但在 EF 以下的占据能级存在明显差异。能带结构的这一特征性差异与缓冲层中的氧含量相关。利用受限随机相近似，我们估算了 HgBa_2CuO_4 和 TlBa_2CuO_5 的有效屏蔽库仑相互作用。结果表明，Hg1201 中屏蔽的在位库仑相互作用值约为 Tl1201 的两倍。此外，在 FLEX 内单带 Hubbard 模型的线性化 Eliashberg 方程本征值可显示出 T_c 的明显差异。若假定 Hg 的屏蔽在位库仑相互作用为其两倍，则这种依赖于材料的 T_c 或可得到解释。
引用
@article{arxiv.1805.05186,
title = {Material-dependent screening of Coulomb interaction in single-layer cuprates},
author = {Shingo Teranishi and Kazutaka Nishiguchi and Koichi Kusakabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.05186},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 4 figures, to be submitted in Journal of the Physical Society of Japan. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1704.06449