La2CuO4 中的动态屏蔽
强关联电子
2015-03-27 v1
摘要
我们表明，在高温超导铜氧化物中，Cu-d 电子间库仑相互作用的动态屏蔽非常强，且对此效应的恰当处理对于电子结构的一致性描述至关重要。特别是，我们发现，只有考虑库仑相互作用的频率依赖性，针对未掺杂 La2CuO4 的第一性原理计算才能得出绝缘体结果。我们还识别出屏蔽相互作用中位于 9 eV 处的集体激发，该激发相当局域于铜位点，并负责位于 p 能带下方 -13 eV 能量处的卫星结构。
引用
@article{arxiv.1411.3952,
title = {Dynamical screening in La2CuO4},
author = {Philipp Werner and Rei Sakuma and Fredrik Nilsson and Ferdi Aryasetiawan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.3952},
year = {2015}
}