基于材料的自旋-轨道莫特绝缘体分析
强关联电子
2024-03-20 v1
摘要
我们提出一种利用基于材料的紧束缚模型分析莫特绝缘体的框架。我们从现实的多轨道 Hubbard 模型出发，针对位间跳跃作二阶微扰理论，推导局域电子的有效模型。该有效模型即已知的 Kugel-Khomskii 模型，由 SU() 生成元描述，其中 为局域态数目。我们通过考虑局域关联的平均场理论求解该模型，揭示了自旋-轨道有序态。为包含空间关联，我们应用基于 SU() 相干态路径积分方法的经典蒙特卡洛，并推导出自旋-轨道自由度的运动方程。我们的方法适用于任意莫特绝缘体且计算代价合理。此处以 -烧绿石氧化物作为演示。
引用
@article{arxiv.2301.09824,
title = {Material-based analysis of spin-orbital Mott insulators},
author = {Ryuta Iwazaki and Hiroshi Shinaoka and Shintaro Hoshino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.09824},
year = {2024}
}
备注
10 pages, 5 figures