压电衬底上掺杂石墨烯中的多体效应
介观与纳米尺度物理
2017-09-20 v1
摘要
我们研究了位于压电衬底上的石墨烯的多体性质，重点关注石墨烯电子与压电声学声子之间的相互作用。我们计算了电子和声子的自能以及由衬底声子限制的电子迁移率。我们强调了对电声子顶点的适当屏蔽的重要性，并讨论了作为电子能量、温度和掺杂水平函数的各种极限行为。我们将压电声学声子对石墨烯电子的影响与石墨烯本征形变声学声子的影响进行了比较。在低掺杂水平下，无论在高温还是低温，衬底声子的影响往往都占主导地位。
引用
@article{arxiv.1703.09654,
title = {Many-body effects in doped graphene on a piezoelectric substrate},
author = {D. G. González and I. Zapata and J. Schiefele and F. Sols and F. Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.09654},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 8 figures