利用标准实验室源的聚焦微束 X 射线调控氧化物界面电子态
材料科学
2014-12-23 v1 强关联电子
摘要
最近，使用同步辐射的 X 射线照射已被用于调控缺陷、激发自组织并探测其结构。在此，我们探索一种使用聚焦实验室级 X 射线源对低维系统进行缺陷工程的方法。我们展示了通过 X 射线辐照，在复杂氧化物材料 LaAlO3 和 SrTiO3 界面处的二维电子气导电性质发生的不可逆变化。在曝光过程中监测电阻，辐照区域被驱动至高阻态。我们的结果表明，在 X 射线光谱研究中应注意电子结构的改变，并突出了大面积缺陷调控和直接器件图案化作为聚焦实验室 X 射线源潜在新应用领域的前景。
引用
@article{arxiv.1411.0177,
title = {Manipulating electronic states at oxide interfaces using focused micro X-rays from standard lab-sources},
author = {Nicola Poccia and Alessandro Ricci and Francesco Coneri and Martin Stehno and Gaetano Campi and Nicola Demitri and Giorgio Bais and X. Renshaw Wang and H. Hilgenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0177},
year = {2014}
}
备注
12 pages, 4 figures