原子聚集对 III-V 合金光学性质的影响
凝聚态物理
2009-10-22 v1
摘要
我们采用自洽电子结构计算和结构模型，研究短程原子有序对 Al(0.5)Ga(0.5)As、Ga(0.5)In(0.5)P 和 Al(0.5)In(0.5)As 合金光学性质的影响。我们发现聚集可以将这些合金的直接带隙降低最多 100 meV。此外，预测在足够强的聚集作用下，Al(0.5)Ga(0.5)As 可能被转化为直接带隙材料。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9404005,
title = {Manifestation of Quantum Chaos in Electronic Band Structures},
author = {E. R. Mucciolo and R. B. Capaz and B. L. Altshuler and J. D. Joannopoulos},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9404005},
year = {2009}
}
备注
15 pages with 6 Postscript figures included, RevTex-3, CMT-ERM/9401