通道中 tomographic 电子的磁性输运

流体动力学是高迁移率器件中电子输运的新范式，其中频繁的电子碰撞导致集体电子流动轮廓。然而，基于对经典气体的流体方程扩展而描述的这些流，仅考虑杂质散射，未能 account for 量子机械系统中 distinct collisional relaxation。特别是，由于泡利阻塞，分布函数的 even 模态在显著较短的尺度上relax 快于 odd 模态（称为“tomographic”效应）。我们建立了对 tomographic 电子流动的解析描述，发现四个新的判别性特征：（i）来自边界的非平衡效应显著渗透到流动领域内部；（ii）额外的速度滑移条件导致通道电导显著增加；（iii）bulk 稀释修正降低了通道中心速度轮廓的曲率；（iv）这些异常输运效应随磁场而迅速抑制。后者效应导致非单调的磁导率，这可用于测量 both even- 和 odd 模态的平均自由路长。我们的渐近结果揭示了 tomographic 流的底层物理，并为求解 Fermi-液体方程提供了替代方案。