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掺杂 Mott 绝缘体的磁迹输运

强关联电子 2009-10-31 v2

摘要

我们使用动态均位场理论研究强相关电子体系的霍尔效应和磁阻。我们对低温和高温极限进行解析分析,并数值探索一些中间温度 regime 的特征。我们观察到,双部格子条件负责由各种作者获得的高温结果 σxy1/T2\sigma_{xy}\sim 1/T^2,而一般行为为 σxy1/T\sigma_{xy}\sim 1/T,这类似于纵向电导率。我们发现 Kohler 定律在高温和中间温度下都不被遵守。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9810207,
  title  = {Magnetotransport in the doped Mott insulator},
  author = {Ekkehard Lange and Gabriel Kotliar},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9810207},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, 7 figures, accepted for publication in Phys. Rev. B