稀薄$p$-Si/SiGe在平行和倾斜磁场中的磁电阻

我们报告了对两个低载流子浓度$p$=8.2×10$^{10}$ cm$^{-2}$和$p$=2×10$^{11}$ cm$^{-2}$的$p$-Si/SiGe样品中磁电阻$\rho_{xx}$和$\rho_{xy}$的实验研究结果。研究在0.3-2 K的温度范围和高达18 T的磁场中进行，磁场平行于或倾斜于二维沟道平面。大的面内磁电阻可以通过面内磁场对准二维系统中载流子轨道运动的影响来解释。在倾斜磁场中对$\rho_{xx}$和$\rho_{xy}$的测量表明，在填充因子$\nu$=3/2处观察到的$\rho_{xx}$异常在电导率$\sigma_{xx}$中几乎不存在。$\sigma_{xx}$在$\nu$=2处的异常可能可以通过改变外加磁场的倾斜角时，不同自旋0↑和1↓的能级重叠来解释。确定了g因子$g^*(\Theta)/g^*(0^0)$对倾斜角$\Theta$的依赖关系。