磁库仑拖拽：电子-电子相互作用与朗道量子化的相互作用

M. C. Bonsager; K. Flensberg; B. Y. -K. Hu; A. -P. Jauho

doi:10.1103/PhysRevLett.77.1366

磁库仑拖拽：电子-电子相互作用与朗道量子化的相互作用

凝聚态物理 2009-10-28 v1

作者: M. C. Bonsager , K. Flensberg , B. Y. -K. Hu , A. -P. Jauho

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摘要

我们使用久保公式计算了在强垂直磁场 $B$ 下耦合量子阱中载流子的横向电阻率 $\rho_{21}$ 。我们发现，在整数量子霍尔效应的平台间区域， $\rho_{21}$ 比 $B=0$ 的情况增强了约50-100倍。电子-电子相互作用和朗道量子化的共同存在导致：(i) 在低温下，平台间区域的 $\rho_{21}(B)$ 呈现双峰结构，以及 (ii) 对于化学势位于朗道能带中心的情况， $\rho_{21}(T)/T^2$ 呈现峰值状的温度依赖性。

关键词

磁库仑拖拽横向电阻率耦合量子阱朗道量子化整数量子霍尔效应电子-电子相互作用

引用

@article{arxiv.cond-mat/9603110,
  title  = {Magneto-Coulomb drag: interplay of electron--electron interactions and Landau quantization},
  author = {M. C. Bonsager and K. Flensberg and B. Y. -K. Hu and A. -P. Jauho},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9603110},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, RevTeX, 4 PS figures in text using epsf

磁库仑拖拽：电子-电子相互作用与朗道量子化的相互作用

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关键词

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