YbRh_2Si_2中场致量子临界点的磁化研究

我们通过低温磁化强度$M(T)$和磁Grüneisen比$\Gamma_{\rm mag}$测量研究了YbRh$_2$Si$_2$中的场致量子临界点，并将结果与YbRh$_2$(Si$_{0.95}$Ge$_{0.05}$)$_2$先前的热膨胀$\beta(T)$和临界Grüneisen比$\Gamma^{cr}(T)$数据进行了比较。在后一种情况下，使用了轻微的负化学压力将系统调谐至其零场量子临界点。磁化强度导数$-dM/dT$比热膨胀奇异得多，反映了在恒定熵下场的压力导数$(dH/dP)_S=V_m\beta/(dM/dT)$（$V_m$：摩尔体积）具有很强的温度依赖性，当$T\to 0$时，该导数饱和于$(0.15\pm 0.04)$ T/GPa。先前在霍尔和热力学测量中观察到的线$T^\star(H)$，将$T$-$H$相空间中$\Gamma_{\rm mag}(T)\propto T^{-\epsilon}$发散更强（$\epsilon>1$）和更弱（$\epsilon<1$）的区域分开。