反铁磁翻转实验中霍尔器件的磁灵敏度分布
介观与纳米尺度物理
2022-01-06 v1 材料科学
摘要
我们分析了在用于测量磁阻效应的器件结构中，局域自旋纹理对横向霍尔型电压的复杂影响。我们发现，在电流诱导翻转实验中频繁使用的八端几何结构（例如用于探测反铁磁材料）中，存在高度局域且非对称的磁灵敏度。以反铁磁 NiO/Pt 的电流诱导翻转为例，我们基于通过直接成像观察到的畴翻转图案，估算了与翻转事件相关的自旋霍尔磁阻信号变化。在扣除非磁贡献后，该估算值与实际电学数据相关。此处，该相关性在具有根本不同翻转图案的三种测量几何结构中保持一致，强烈表明所测量和分析的电学信号具有磁起源。
引用
@article{arxiv.2201.01572,
title = {Magnetic sensitivity distribution of Hall devices in antiferromagnetic switching experiments},
author = {F. Schreiber and H. Meer and C. Schmitt and R. Ramos and E. Saitoh and L. Baldrati and M. Kläui},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.01572},
year = {2022}
}