反铁磁体电学开关实验中的电阻贡献
材料科学
2020-07-22 v1
摘要
近期研究展示了通过本征自旋轨道矩或相邻重金属层的自旋霍尔效应实现反铁磁体的电学开关。电学读出通常通过测量平面十字形或星形（分别具有四臂或八臂）器件上的横向各向异性磁电阻来实现。根据材料不同，开关磁态所需的电流密度可能很大，常接近器件的破坏阈值。我们证明，由此产生的电学应力会局部改变薄膜电阻率，从而破坏导体的四重旋转对称性。这种由薄膜不均匀性引起的对称性破缺产生类似于各向异性磁电阻的信号，并在实验上表现为“锯齿”形横向电阻率。该伪迹可在多次开关实验中持续存在，且不易与磁贡献分离。我们讨论了该伪迹的起源，阐明了薄膜结晶度的作用，并提出了将电阻贡献与磁贡献分离的方法。
引用
@article{arxiv.1910.08576,
title = {Resistive contribution in electrical switching experiments with antiferromagnets},
author = {Tristan Matalla-Wagner and Jan-Michael Schmalhorst and Günter Reiss and Nobumichi Tamura and Markus Meinert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.08576},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 7 figures