Ta/CoFeB/MgO 多层膜中的磁相变
材料科学
2015-05-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过电输运和磁测量研究了基于 Ta/CoFeB/MgO 多层膜的薄膜和磁隧道结纳米柱。这些测量表明，在 CoFeB/MgO 界面处形成了一层超薄磁性氧化物。在约 160 K 时，该氧化物发生相变，从低温下的绝缘反铁磁体转变为高温下的导电弱铁磁体。预计这种界面磁性氧化物将对用于自旋力矩存储器的基于 CoFeB 的多层膜的磁性能产生重大影响。
引用
@article{arxiv.1504.06716,
title = {Magnetic phase transitions in Ta/CoFeB/MgO multilayers},
author = {I. Barsukov and Yu Fu and C. Safranski and Y. -J. Chen and B. Youngblood and A. M. Gonçalves and M. Spasova and M. Farle and J. A. Katine and C. C. Kuo and I. N. Krivorotov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06716},
year = {2015}
}