范德瓦耳斯金属 CeSiI 中的磁阻挫
强关联电子
2021-12-09 v1 材料科学
摘要
在金属性范德瓦耳斯 (vdW) 耦合材料中实现磁阻挫一直被视为探索块体物质及剥离器件中新奇现象的有前景平台。然而，迄今缺乏合适的材料平台。本文中，我们证明 CeSiI 具有共存于奇异磁性中的巡游电子。在 CeSiI 中，磁性铈原子形成三角双层结构，夹在范德瓦耳斯堆叠的碘层之间。从电阻率和磁强计测量，我们确认巡游电子与磁性在 7 K 以下强类伊辛 Ce 磁矩间以反铁磁交换为主的共存。中子衍射直接确认在 1.6 K 下以非公度传播矢量 k ~ (0.28, 0, 0.19) 的磁有序，这指向该系统中次近邻磁相互作用的重要性。沿 c 轴的两步磁场诱导相变进一步表明基态中的磁阻挫。我们的发现提供了一个在 vdW 系统中承载巡游电子与阻挫磁性共存的新颖材料平台，可探索低维下自旋、电荷与晶格丰富相互作用产生的奇异现象。
引用
@article{arxiv.2107.13810,
title = {Magnetic frustration in a van der Waals metal CeSiI},
author = {Ryutaro Okuma and Clemens Ritter and Gøran J. Nilsen and Yoshinori Okada},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.13810},
year = {2021}
}
备注
15 pages, 9 figures