范德华平带材料 Ni$_{3}$GeTe$_{2}$ 的电子结构与磁性
强关联电子
2025-08-18 v2
摘要
对二维材料磁性的研究引起了广泛的兴趣，这得益于对低维磁性现象的基础研究及其在自旋电子器件中的潜在应用。通过动力学平均场理论计算，我们证明了 NiGeTe 表现出由其层状三角晶格的几何阻挫导致的平带特征。由于电子关联作用，这些平带被进一步重整化。我们的计算表明，Ni 原子的磁序受库仑相互作用和 Hund 耦合的显著影响，这表明 Ni 原子的物理特性处于 Hundness 与 Mottness 之间的中间区域。此外，我们的结果表明，Ni 原子的局域磁矩存在显著的自旋涨落，在低温下保持顺磁性。进一步地，我们研究了空位效应，发现费米能级处的态密度受到显著抑制。我们的研究所揭示的物理机制为全面理解该材料表现出的新颖性质提供了基础。
引用
@article{arxiv.2506.02498,
title = {Electronic structures and magnetism in van der Waals flat-band material Ni$_{3}$GeTe$_{2}$},
author = {Yuanji Xu and Xintao Jin and Haoyuan Tang and Fuyang Tian},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.02498},
year = {2025}
}