掺杂半导体中磁场控制的反常折射
光学
2019-03-27 v1
摘要
我们在此预言，由掺杂半导体制成的平板在施加静磁场时可表现出反常折射。该反常折射发生在远红外波段，且对任意入射角均会出现。我们表明此效应源于掺杂半导体在磁场下在某种程度上可表现为双曲超材料。我们还表明该反常折射的出现使磁场下的半导体平板能够部分聚焦电磁辐射。我们情况的显著之处在于处理的是天然存在的材料，且反常折射可通过外场随意调谐。
引用
@article{arxiv.1811.03574,
title = {Magnetic-field controlled anomalous refraction in doped semiconductors},
author = {E. Moncada-Villa and A. I. Fernández-Domínguez and J. C. Cuevas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.03574},
year = {2019}
}