p型掺杂半导体中的压磁电效应
其他凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
我们预测，在施加外加电场且具有反转对称性破缺的应变三维 p 型掺杂半导体中，会出现均匀磁化。我们计算了磁化对外电场的响应，其作为施加应变的方向和大小的函数。该效应可用于操控磁性掺杂半导体的空穴介导铁磁性的集体磁矩。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408476,
title = {Piezo-Magneto-Electric Effects in p-Doped Semiconductors},
author = {B. Andrei Bernevig and Oskar Vafek},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408476},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures