SrRuO_3薄膜中的磁畴壁运动
材料科学
2020-01-03 v1
摘要
研究了衬底偏切角对SrRuO_3（SRO）薄膜磁化动力学的影响。分别在偏切角高（约1°）和低（约0.1°）的SrTiO_3衬底上生长了两块薄膜。正如预期，高偏切角抑制了多变体生长。通过SQUID磁强计观测到，多变体样品与近单变体样品中均存在可比较的弛豫效应。磁力显微镜揭示了磁化反转过程的差异。结果显示，多变体生长导致更高密度的缺陷，这些缺陷充当磁畴的钉扎或成核位点，从而致使磁性能恶化。研究表明，使用高偏切衬底对于制备具有低结晶缺陷密度和优异磁性能的优质SRO薄膜至关重要。
引用
@article{arxiv.1911.11655,
title = {Magnetic domain wall motion in SrRuO$_3$ thin films},
author = {Martin Zahradník and Klára Uhlířová and Thomas Maroutian and Georg Kurij and Guillaume Agnus and Martin Veis and Philippe Lecoeur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.11655},
year = {2020}
}
备注
9 pages plus graphical abstract and highlights