电子法布里-珀罗干涉仪中的低场量子霍尔输运：通过前栅电压确定收缩区填充数

我们报告了在超低温下对法布里-珀罗电子干涉仪进行的系统性量子霍尔输运实验。这些 GaAs/AlGaAs 异质结构器件由二维电子层中刻蚀沟道定义的两个收缩区组成，包围着一个近似圆形的岛。沉积在刻蚀沟道中的前栅极可以精细调节器件的对称性，并改变收缩区相对于体区的填充数。低场纵向和霍尔磁输运显示出舒布尼科夫-德哈斯振荡和整数量子霍尔平台。前栅电压的系统性变化会影响收缩区和岛的电子密度，而体区密度保持不变。这导致纵向电阻出现量子化平台，而霍尔电阻则由低密度、低填充数的收缩区主导。在较低场下，当量子霍尔平台尚未形成时，我们观察到一系列体区舒布尼科夫-德哈斯振荡，对应于收缩区中磁电子子带的整数填充。这表明在 10 mK 的较低场下，整个干涉仪区域仍然保持量子相干性。通过福克-达尔文模型分析数据，我们得到了收缩区电子密度作为前栅偏压的函数，并外推至零场，得到了由收缩区中电子约束产生的电子子带（导电通道）数量。