电子 Fabry-Perot 干涉仪中的量子输运
介观与纳米尺度物理
2007-10-08 v1
摘要
我们报告了整数量子霍尔 regime 下 Fabry-Perot 电子干涉仪的实验结果。GaAs/AlGaAs 异质结器件由 2D 电子层中通过刻蚀沟槽定义的两个收缩区组成，包围着一个近似圆形的岛。干涉仪由两个收缩区中通过隧穿耦合的反向传播手性边缘通道形成。观察到类似于 Aharonov-Bohm 效应的电导振荡干涉条纹。沉积在刻蚀沟槽中的前栅极允许微调器件，并相对于体填充改变收缩区填充因子 f。在 f = 1 - 4 平台观察到量子相干电导振荡。在平台 f 上，每个基本磁通周期 h/e 观察到 f 次电导振荡。这归因于电子 - 电子库仑相互作用的主导地位，有效地混合了朗道能级占据。另一方面，背栅电荷周期在所有平台上都是相同的（一个电子），与填充因子无关。这归因于大电子岛中的自洽静电学。我们还报告了三个器件在 f = 1、2 和 4 时振荡周期对前栅电压的依赖性。我们发现呈线性依赖关系，对于 f = 1 和 2，斜率与 f 成反比。
引用
@article{arxiv.0707.1688,
title = {Quantum transport in electron Fabry-Perot interferometers},
author = {F. E. Camino and Wei Zhou and V. J. Goldman},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.1688},
year = {2007}
}