通过 Co-C 体系实现石墨烯的低熵
材料科学
2016-04-21 v1
摘要
在 Co 薄膜上展示了均匀、主要为单层的且具有增强稳定性的石墨烯。沉积在 SiO2/Si 衬底上的多晶 Co 薄膜给出了连续的石墨烯层，该层无需任何聚合物支撑即可轻易转移，同时保持材料质量，拉曼分析证明了这一点。还观察到与 Cu 生长的材料相比，对激光束破坏作用具有极高的稳定性。该材料更好的结构和电学性质用冷却过程的热力学来解释。研究表明，由于冷却过程中析出的 C 原子导致空位湮灭而引起的熵减，直接取决于 C 在 Co 中溶解的激活能，该激活能相当高，这是因为工艺温度下 Co 的磁有序。我们的工作拓展了在考虑各种 C-金属体系热力学的情况下合成单层石墨烯的可能性。
引用
@article{arxiv.1604.05928,
title = {Low entropy in graphene through the Co-C system},
author = {Giampiero Amato and Federico Beccaria and Umberto Vignolo and Federica Celegato},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.05928},
year = {2016}
}
备注
14 pages, 7 figures