具有局部吸引的 Anderson 绝缘体的低能动力学响应
介观与纳米尺度物理
2017-02-02 v4 超导电性
摘要
Anderson 绝缘体的低频动力学响应由所谓的 Mott 共振主导：即在能量上接近但在空间上分离的状态对的杂化。我们在具有局部吸引的自旋费米子（电子）模型中研究了相互作用对 Mott 共振的影响。已知该模型表现出所谓的赝能隙：低能单粒子激发的抑制。相应地，低能动力学响应也减弱。然而，这种减弱主要表现为定量特征。具体而言，频率依赖电导率的 Mott 公式在低频下保持了其函数渐近行为，但带有一个小的数值前置因子。这一结果可以用电子对而非单电子的 Mott 共振来解释。
引用
@article{arxiv.1609.05304,
title = {Low-energy dynamical response of an Anderson insulator with local attraction},
author = {D. A. Ivanov and M. V. Feigel'man},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.05304},
year = {2017}
}
备注
6 pages, version accepted for publication