低偏压异常与隧穿涨落谱学
超导电性
2013-11-27 v1
摘要
由 Esaki 和 Giaever 开创的电子隧穿谱学为研究超导体中的电子能谱和态密度（DOS）提供了强有力的工具。这导致了一些重要发现，特别是揭示了超导体在临界温度以上的隧穿谱中的赝能隙。然而，现象学方法不足以描述低偏压行为的精细结构，而后者承载着关于电子散射、相互作用和退相干效应的重要信息。在此，我们构建了涨落 regime 下电子隧穿进入超导体的完整微观理论。我们揭示了由于注入电子被超导涨落进行类安德烈夫反射而在隧穿电导中产生的非平凡低能异常。我们的发现使得通过时间分辨扫描隧穿显微镜测量实时观测涨落库珀对动力学成为可能，并为超导体涨落电子谱的定量分析开辟了新的视野。
引用
@article{arxiv.1311.6548,
title = {Low-Bias-Anomaly and Tunnel Fluctuoscopy},
author = {A. Glatz and A. A. Varlamov and V. M. Vinokur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.6548},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 6 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1210.4206