量子涨落对相位相干 Andreev 隧穿的影响
介观与纳米尺度物理
2009-10-30 v1
摘要
我们研究了与外部电磁环境耦合的小电容正常金属-超导体隧道结的亚能隙输运性质。正常金属中电子之间的介观干涉随着偏压的降低而强烈增强亚能隙电导。另一方面，环境的量子涨落会破坏电子相位相干性，并在低偏压下抑制亚能隙电导（库仑阻塞）。充电效应与介观干涉之间的竞争导致了微分亚能隙电导对施加偏压的非单调依赖。即使与环境的耦合很弱且充电能量很小，这一特征也很明显。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9709344,
title = {Influence of Quantum Fluctuations on Phase Coherent Andreev Tunneling},
author = {Andrea Huck and F. W. J. Hekking and Bernhard Kramer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9709344},
year = {2009}
}
备注
RevTeX, 4 pages, 4 eps figures, (tar,gzip,uuencode)