界面隧穿交换引起的超导铌膜损耗
加速器物理
2013-02-15 v3 超导电性
摘要
识别铌膜腔的损耗机制能够准确确定未来加速器项目的应用，并指出需要研究以减轻其局限性的课题。样品测量表明，电场是铌膜的主要损耗机制，通过表面氧化物中局域态与超导铌中非局域态之间的界面隧穿起作用。
引用
@article{arxiv.1204.2166,
title = {Losses in superconducting Niobium Films caused by Interface Tunnel Exchange},
author = {Tobias Junginger and Wolfgang Weingarten and Carsten Welsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2166},
year = {2013}
}
备注
This paper has been replaced by arXiv:1302.2802