铌中表面电阻的电性实验证据

识别铌腔的损耗机制能够准确确定未来加速器项目的应用，并指出缓解当前局限性所需的研究课题。对于多个腔体，观察到表面电阻在阈值场以上增加，并在更高场强下饱和。对样品的测量证实，该效应是由表面电场引起的。测得的温度和频率依赖性与一个模型一致，该模型通过沿晶界形成的氧化物中的局域态与相邻超导体之间的界面隧穿交换来解释这些损耗。