铜基铌膜腔体表面电阻的场依赖性研究

与块体材料腔体相比，通过在铜基底上溅射镀覆薄铌膜制备的超导腔体，其表面电阻 $R_s$ 随施加射频场的增加而显著增强。一个可能的原因是，由于铜基底与铌膜之间的热边界电阻，腔体内壁的整体加热导致 $R_s$ 升高。通过在腔体内引入氦气并测量其压力随施加场的变化，得出结论：当 $R_s$ 随 $E_{acc}$ 增加 100 nOhm 时，腔体内表面的温升仅为 60+/-60 mK。这比整体加热预期的值低一个数量级以上。此外，在这些实验框架内还研究了冷却速度和低温烘烤的影响。结果表明，对于当前最先进的铜基铌膜腔体，低温烘烤仅产生不利影响，而快速冷却可降低 $R_s$。