Co 掺杂 ZnV2O4 中 V 位点周围的局部结构
强关联电子
2015-04-07 v1 材料科学
摘要
我们通过同步辐射 X 射线衍射、磁化率测量和扩展 X 射线吸收精细结构 (EXAFS) 分析研究了 Co 掺杂的 ZnV2O4。随着 Zn 位点的 Co 掺杂，系统趋向于巡游电子极限。同步辐射和磁化率测量表明，在磁相变温度附近，键长和晶格参数发生了变化。EXAFS 研究表明，在 Co 掺杂的 ZnV2O4 中，Co 离子处于高自旋态。
引用
@article{arxiv.1504.01232,
title = {Local structure surrounding V sites in Co doped ZnV2O4},
author = {P. Shahi and N. Tiwari and D. Bhattacharyya and S. N. Jha and A. K. Ghosh and A. Banerjee and H. Singh and A. K. Sinha and Sandip Chatterjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01232},
year = {2015}
}
备注
17 pages, I table, 5 figures